汽车压力传感器作为关键的车载传感元件，其制造过程需要融合精密加工、半导体工艺和自动化技术，以下为生产中的设备：
1. **微机电系统（MEMS）加工设备**
半导体级单晶硅片加工需配备光刻机（如步进式曝光机）、等离子体刻蚀机（RIE/DRIE）和低压化学气相沉积（LPCVD）设备。以意法半导体产线为例，8英寸晶圆通过光刻形成微米级压阻结构，深反应离子刻蚀技术可加工出厚度50-200μm的硅膜片。离子注入机用于实现压阻系数达120的P型掺杂区域，掺杂精度直接影响灵敏度指标。
2. **薄膜沉积与封装系统**
磁控溅射设备用于制作金/铝电极层，膜厚控制在0.1-1μm范围。真空键合机在10^-5 P真空环境下完成硅-玻璃阳极键合，键合温度380-450℃时界面强度可达15MPa以上。全自动引线键合机采用25μm金线，焊接速度达15线/秒，位置精度±1.5μm。
3. **环境模拟测试系统**
多轴压力校准台配备0.05级标准压力传感器，可在-100kPa至35MPa范围内进行五点标定。高低温冲击箱实现-40℃~150℃温度循环测试，温变速率达15℃/min。三综合试验台可同步施加20-2000Hz振动与85%RH湿度，验证传感器在ISO16750标准下的可靠性。
4. **智能化检测装备**
激光共聚焦显微镜进行3D形貌分析，台阶测量精度0.1nm。自动光学检测（AOI）系统搭载500万像素CMOS，可识别2μm级缺陷。六轴机器人配合机器视觉实现每小时1200件的在线分选，良品率提升至99.98%。
5. **辅助设备**
激光修调机通过50W脉冲光纤激光调整惠斯通电桥阻值，阻值匹配精度达0.01%。灌封系统采用双组分环氧树脂，在0.5MPa压力下完成腔体密封，固化后气密性达到1×10^-8 Pa·m³/s泄漏率。
这些设备构成的数字化生产线可实现年产500万只传感器的制造能力，单个传感器生产周期缩短至72小时，同时满足车规级AEC-Q103认证要求。随着MEMS工艺进步，原子层沉积（ALD）设备和纳米压印设备正逐步应用于新一代传感器制造。
